2N5551技術(shù)參數(shù) 2N5551芯片引腳圖和代換型號

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2N5551是一款常用的PNP型晶體管，由美國微芯科技公司生產(chǎn)。它具有高電壓和高電流放大系數(shù)，適用于各種低功耗、高頻率的模擬和數(shù)字電路應(yīng)用。

1. 2N5551技術(shù)參數(shù)

1.1 參數(shù)說明

2N5551是一款小信號PNP型晶體管，其主要技術(shù)參數(shù)如下：

  • 最大漏極電壓（BVCEO）：160V
  • 最大集電極電流（IC）：600mA
  • 最大功耗（PD）：0.625W
  • 最大峰值電流（IBM）：200mA
  • 最大峰值反向電壓（VBM）：5V
  • 最大工作溫度（Tj）：150℃

1.2 典型特性

2N5551的典型特性：

其中，CE飽和區(qū)的VCE(SAT)為0.3V，最大直流電流增益為200，輸入電容為8pF，輸出電容為15pF，固有截止頻率為150MHz。

2. 2N5551芯片引腳圖和代換型號

2.1 2N5551芯片引腳圖

2N5551的芯片引腳圖如下所示：

2N5551芯片引腳圖

其中，E為發(fā)射極，B為基極，C為集電極，最大漏極電壓為160V。

2.2 2N5551代換型號

2N5551的替代型號有很多種，常用的有BC557、C2073、A1015等。這些型號雖然特性略有差異，但是在某些應(yīng)用場合可以相互替代。在選擇替代型號時，需要考慮其主要的技術(shù)參數(shù)是否滿足需求，如漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗等。同時，在實際使用中還需要注意測試和驗證，以確保替代型號的可靠性和穩(wěn)定性。

總之，2N5551是一款廣泛應(yīng)用于信號放大、開關(guān)控制等領(lǐng)域的PNP型晶體管。了解其主要技術(shù)參數(shù)和典型特性，以及芯片引腳圖和替代型號的知識，可以更好地進行電路設(shè)計和選型。