核心觀點(diǎn)
受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動，2025年5月整體存儲器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計維持至少一整年；
得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗，存儲庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求；
受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲價格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。
三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài)
市場需求分析
5月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升8.12%，同比下降-27.34%。
2025Q1 SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢，以36.7%份額登頂DRAM市場，終結(jié)三星40年統(tǒng)治地位。
2025Q1全球DRAM市場規(guī)模267.29億美元（同比+42.5%，環(huán)比-8.5%）。
SK海力士/美光DRAM銷售額環(huán)比微跌，三星因HBM銷售不佳拖累三星整體DRAM表現(xiàn)。
工業(yè)需求回暖帶動南亞科技和華邦電子DRAM銷售額環(huán)比增長。
HBM正加速重構(gòu)DRAM產(chǎn)業(yè)格局，滲透率從2023年9%升至2024年18%，2025年或突破30%。
Q2關(guān)稅備貨或推升DRAM/NAND出貨量，但政策風(fēng)險壓制下半年需求。
隨著去年三季度原廠逐漸減產(chǎn)LPDDR4X，近段時間來LPDDR4X供應(yīng)持續(xù)緊缺。
閃迪預(yù)計第四財季（2025年4-6月）的NAND bit出貨量將保持平穩(wěn)，平均售價將實(shí)現(xiàn)中高個位數(shù)百分比增長；今年下半年NAND bit出貨量將實(shí)現(xiàn)高個位數(shù)百分比增長。
鎧俠 SSD和存儲業(yè)務(wù)受AI應(yīng)用推動，需求保持強(qiáng)勁，但銷售額環(huán)比減少，主因售價下調(diào)。
2025年的手機(jī)和PC的市場復(fù)蘇速度難以預(yù)測，但是，大型IT公司對AI基礎(chǔ)設(shè)施的投資推動了固態(tài)硬盤需求的增長。
SK海力士今年HBM產(chǎn)能已售罄，12層HBM3E Q2占比將超50%，全年銷售額預(yù)計翻倍。
企業(yè)級SSD作為關(guān)鍵增長引擎的失速，使得“服務(wù)器需求對沖消費(fèi)端疲軟”的格局被打破，令1Q25的NAND Flash整體需求表現(xiàn)十分疲軟，市場供過于求明顯。
交貨周期分析
現(xiàn)貨市場DDR/LPDDR4X供應(yīng)緊俏，手機(jī)庫存健康，PC OEM庫存降低。
PC廠商經(jīng)過數(shù)個季度的庫存消耗，截至目前去庫存效果顯著。
SK海力士3月送樣36GB HBM4（MR-MUF工藝），計劃下半年量產(chǎn)。
三星表示HBM4 的開發(fā)細(xì)節(jié)如期進(jìn)行，計劃于今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。HBM4 預(yù)計將于 2026 年開始商業(yè)供應(yīng)。
美光對HBM4同樣充滿期待，將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
由于存儲供需狀況轉(zhuǎn)健康，威剛庫存充足應(yīng)對需求回溫。
渠道客戶現(xiàn)有庫存仍足以支撐其短時間銷售，且渠道客戶普遍保持采購謹(jǐn)慎致SSD價格承壓。
價格波動分析
手機(jī)/PC補(bǔ)庫推升DDR4/LPDDR4X價格；部分廠商調(diào)漲DDR4價格。
受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，三星/SK海力士Q1存儲營收環(huán)比均下滑超10%。
渠道部分DDR顆粒緊缺，廠商嘗試調(diào)價但成交待觀察。
備貨需求支撐低容量LPDDR4X價格拉漲，其他價格持平。
原廠減產(chǎn)致LPDDR4X價格大幅上漲。
5月中旬1Tb QLC/TLC Flash Wafer漲至5.05/5.70美元；DDR4顆粒漲超50%，渠道SSD價格持平。
DDR4停產(chǎn)致顆粒價格跳漲，行業(yè)/服務(wù)器產(chǎn)品跟漲。
大容量eMMC因補(bǔ)庫需求驅(qū)動下漲價，LPDDR4X供應(yīng)趨緊繼續(xù)推相應(yīng)成品漲價。
現(xiàn)貨市場部分DDR4顆粒半月內(nèi)價格跳漲超50%，市場熱度迅速升高。
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